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Descrizione dei prodotti
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
3.84 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 22110
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Byte pro Sektor
512
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Breite
22 mm
Tiefe
110 mm
Höhe
3.8 mm
Gewicht
20 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
85000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.2 Watt (Lesen) 8.2 Watt (Schreiben) 2.5 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz
Informazioni sulla sicurezza del prodotto
Persona responsabile nell'UE:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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