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Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Why Choose Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC>

Num. d`article: MZ-V9S4T0BW
Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Description des produits

Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
L'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Caractéristiques
Capacité du Solid State Drive (SSD):4 To
Facteur de forme SSD:M.2
Interface:PCI Express 4.0
NVMe:Oui
Type de mémoire:V-NAND TLC
composant pour:PC
Le chiffrement matériel:Oui
Version NVMe:2.0
Algorithme de sécurité soutenu:256-bit AES
Taille du SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture:7150 Mo/s
Vitesse d'écriture:6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB):850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB):1350000 IOPS
Support S.M.A.R.T.:Oui
Support TRIM:Oui
Temps moyen entre pannes:1500000 h
Poids et dimensions
Largeur:80,2 mm
Profondeur:2,38 mm
Hauteur:22,1 mm
Poids:9 g
Conditions environnementales
Température d'opération:0 - 70 °C

Información sobre la seguridad del producto
Persona responsable en la UE:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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