Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Num. d`article:
MZ-V9P1T0BW
GTIN/EAN:
8806094215021
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Product Features Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

  • Samsung 990 PRO M.2 1000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Products description Samsung MZ-V9P1T0BW

Caractéristiques
Facteur de forme SSD:M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD):1000 Go
Interface:PCI Express 4.0
Type de mémoire:V-NAND MLC
NVMe:Oui
composant pour:PC
Le chiffrement matériel:Oui
Version NVMe:2.0
Algorithme de sécurité soutenu:256-bit AES
Vitesse de lecture:7450 Mo/s
Vitesse d'écriture:6900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB):1200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB):1550000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express:x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif):Oui
Support S.M.A.R.T.:Oui
Support TRIM:Oui
Cache DDR externe:Oui
Quantité de caches DDR externes:1024 Mo
Temps moyen entre pannes:1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement:3,3 V
Consommation (max):7,8 W
Consommation d'énergie (moyenne):5,4 W
Conditions environnementales
Température d'opération:0 - 70 °C
Température maximale de fonctionnement:70 °C
Vibrations en fonctionnement:1500 G
Poids et dimensions
Largeur:80 mm
Profondeur:2,3 mm
Hauteur:22 mm
Poids:9 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballage:Boîte
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