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Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD M.2 2000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Why Choose Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD M.2 2000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe>

Num. d`article: MZ-V8P2T0BW
Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD M.2 2000 Go PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Description des produits
Caractéristiques
Facteur de forme SSD:M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD):2000 Go
Interface:PCI Express 4.0
Type de mémoire:V-NAND MLC
NVMe:Oui
composant pour:PC/ordinateur portable
Le chiffrement matériel:Oui
Version NVMe:1.3c
Algorithme de sécurité soutenu:256-bit AES
Vitesse de lecture:7000 Mo/s
Vitesse d'écriture:5100 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB):1000000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB):1000000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express:x4
Support S.M.A.R.T.:Oui
Support TRIM:Oui
Temps moyen entre pannes:1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement:3,3 V
Consommation (max):7,2 W
Consommation d'énergie (moyenne):6,1 W
Consommation d'énergie (mode veille):0,035 W
Conditions environnementales
Température d'opération:0 - 70 °C
Température maximale de fonctionnement:70 °C
Choc durant le fonctionnement:1500 G
Poids et dimensions
Largeur:80,2 mm
Profondeur:2,38 mm
Hauteur:22,1 mm
Poids:9 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballage:Boîte
Données logistiques
Code du système harmonisé:84717070

Información sobre la seguridad del producto
Persona responsable en la UE:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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