Description des produits
Caractéristiques |
Facteur de forme SSD: | M.2 |
Capacité du Solid State Drive (SSD): | 1000 Go |
Interface: | PCI Express 4.0 |
Type de mémoire: | V-NAND MLC |
NVMe: | Oui |
composant pour: | PC |
Le chiffrement matériel: | Oui |
Version NVMe: | 1.3c |
Algorithme de sécurité soutenu: | 256-bit WEP |
Vitesse de lecture: | 7000 Mo/s |
Vitesse d'écriture: | 5000 Mo/s |
Lecture aléatoire (4KB): | 1000000 IOPS |
Écriture aléatoire (4KB): | 1000000 IOPS |
Support S.M.A.R.T.: | Oui |
Support TRIM: | Oui |
Temps moyen entre pannes: | 1500000 h |
Puissance |
Tension de fonctionnement: | 3,3 V |
Consommation (max): | 8,9 W |
Consommation d'énergie (moyenne): | 6,2 W |
Consommation électrique (idle): | 35000000 W |
Conditions environnementales |
Température d'opération: | 0 - 70 °C |
Choc durant le fonctionnement: | 1500 G |
Poids et dimensions |
Largeur: | 80 mm |
Profondeur: | 8,6 mm |
Hauteur: | 24 mm |
Poids: | 30,5 g |
Données logistiques |
Code du système harmonisé: | 84717070 |
Información sobre la seguridad del productoPersona responsable en la UE:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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