Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Self-Encrypting Drive (SED), DMA unterstützt, TRIM-Unterstützung, Secure Erase-Funktion, Active Garbage Collection, Enterprise Data Path Protection, Datenschutz bei Stromausfall, Digitally Signed Firmware, Firmware Upgrade without Reset, Secure Boot, Secure Firmware, 176-Layer 3D TLC NAND Technologie, NAND Block Erase, Cryptographic Erase
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
3
Interner Datendurchsatz
7000 MBps (lesen)/ 7000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1500000 IOPS
4 KB Random Write
550000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
17 Watt (sequenzielles Lesen) 23 Watt (sequenzielles Schreiben) 21 Watt (zufälliges Lesen) 25 Watt (zufällige Beschriftung) 21 Watt (zufälliges Lesen/Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
IC, WEEE, UkrSEPRO, China RoHS, RCM, RoHS 2011/65/EU, REACH SvHC, Morocco, Taiwan BSMI RoHS, UKCA
Verpackungsdetails
Pappschachtel
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
