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Detalles
Descripción de los productos
| Características | |
| Factor de forma de disco SSD: | M.2 |
| SDD, capacidad: | 4 TB |
| Interfaz: | PCI Express 4.0 |
| Tipo de memoria: | V-NAND MLC |
| NVMe: | Si |
| Componente para: | PC |
| Encriptación de hardware: | Si |
| Versión NVMe: | 2.0 |
| Algoritmos de seguridad soportados: | 256-bit AES |
| Velocidad de lectura: | 7450 MB/s |
| Velocidad de escritura: | 6900 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB): | 1400000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB): | 1550000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express: | x4 |
| Función DevSleep: | Si |
| Soporte S.M.A.R.T.: | Si |
| Soporte TRIM: | Si |
| Tiempo medio entre fallos: | 1500000 h |
| Funciones de protección: | Resistente al calor |
| Control de energía | |
| Voltaje de operación: | 3,3 V |
| Consumo de energía (promedio): | 5,5 W |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa: | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento: | 1500 G |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho: | 80 mm |
| Profundidad: | 2,3 mm |
| Altura: | 22 mm |
| Peso: | 9 g |
Información sobre la seguridad del producto
Persona responsable en la UE:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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