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Samsung MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Nº. Art.: MZ-V8P2T0BW
Samsung MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Descripción de los productos
Características
Factor de forma de disco SSD:M.2
SDD, capacidad:2000 GB
Interfaz:PCI Express 4.0
Tipo de memoria:V-NAND MLC
NVMe:Si
Componente para:PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware:Si
Versión NVMe:1.3c
Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
Velocidad de lectura:7000 MB/s
Velocidad de escritura:5100 MB/s
Lectura aleatoria (4KB):1000000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB):1000000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
Soporte S.M.A.R.T.:Si
Soporte TRIM:Si
Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación:3,3 V
Consumo de energía (max):7,2 W
Consumo de energía (promedio):6,1 W
Consumo de energía (inactivo):0,035 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Máxima temperatura:70 °C
Golpes en funcionamiento:1500 G
Peso y dimensiones
Ancho:80,2 mm
Profundidad:2,38 mm
Altura:22,1 mm
Peso:9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje:Caja
Datos logísticos
Código de Sistema de Armomización (SA):84717070