Das PNY XLR8 CS3150 Solid State-Laufwerk ist eine Hochleistungsspeicherlösung, die für die Anforderungen anspruchsvoller Anwendungen und Umgebungen entwickelt wurde. Mit seiner fortschrittlichen 3D-NAND-Technologie bietet es eine erhöhte Speicherkapazität und Effizienz, was es zu einer idealen Wahl sowohl für den professionellen als auch für den privaten Gebrauch macht. Das Laufwerk verfügt über eine robuste Suite von Technologien wie Active State Power Management (ASPM), Autonomous Power State Transition (APST) und L1.2-Low-Power-Modus, die alle zusammen den Stromverbrauch optimieren, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.
Darüber hinaus ist die XLR8 CS3150 mit einer PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle ausgestattet, die schnelle Datenübertragungsgeschwindigkeiten bietet, die die Lade- und Übertragungszeiten erheblich reduzieren. Der eingebaute Lüfter sorgt dafür, dass das Laufwerk bei optimalen Temperaturen arbeitet, was seine Leistung und Langlebigkeit erhöht. Mit Unterstützung für TRIM, LDPC-Fehlerkorrektur und End-to-End-Datenpfadschutz behält diese SSD ihre Effizienz und Datenintegrität über lange Zeit bei. Ob für Spiele, die Erstellung von Inhalten oder Computeraufgaben, die PNY XLR8 CS3150 ist eine zuverlässige und effiziente Wahl, die sowohl Geschwindigkeit als auch Haltbarkeit bietet.
- 3D-NAND-Technologie für verbesserte Speicherkapazität und Effizienz
- Unterstützt NVM Express (NVMe) 2.0 für schnellen Datenzugriff
- TRIM-Unterstützung zur Aufrechterhaltung der optimalen Leistung im Laufe der Zeit
- Konform mit mehreren Standards, einschließlich S.M.A.R.T., FCC und RoHS zur Qualitätssicherung
- Funktioniert über einen breiten Temperaturbereich von 0 °C bis 70 °C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Lüfter, End-to-End-Datenpfadschutz, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, L1.2 Energiesparmodus, Autonomous Power State Transition (APST), Active State Power Management (ASPM), NVM Express (NVMe) 2.0, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
12000 MBps (lesen)/ 11000 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Verschiedenes
Kennzeichnung
VCCI, BSMI, FCC, RoHS, REACH
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Información sobre la seguridad del productoPersona responsable en la UE:
PNY Technologies Europe rue Joseph Cugnot 9 33708 Mérignac cedex France tech-sup@pny.eu