Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), Open Compute Project 2.0, ein Port, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz, Sanitize Instant Erase (SIE)
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Lesen intensiv
Interner Datendurchsatz
12000 MBps (lesen)/ 3500 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1600000 IOPS
4 KB Random Write
150000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
18 Watt (aktiv)
5 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
73 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
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