Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Data Path Protection, non-SED, Stromausfallschutz (SAS), NVM Express (NVMe) 1.4, 176-lagige NAND-Technologie, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, CMOS-under-Array (CuA)
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Enterprise, Read Intensive
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
280000 IOPS
4 KB Random Write
40000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
8 Watt (sequenzielles Lesen) 7.9 Watt (sequenzielles Schreiben)
Verschiedenes
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C