Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, 3D NAND Technology, Geräte-Schlafunterstützung, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
7400 MBps (lesen)/ 6700 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
340000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
340000 IOPS
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
0.11 Watt (Leerlauf) 5.3 Watt (Lesen) 7.25 Watt (Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
FCC, RoHS, REACH, UKCA
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C