Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D enterprise triple-level cell (eTLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
6000 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
950000 IOPS
4 KB Random Write
80000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
12.5 Watt (aktiv) 5 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
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