Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), Samsung Elpis Controller, Samsung V-NAND TLC Technology, Low Power SDRAM cache, unterstützt NGUID, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
6800 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
850000 IOPS
4 KB Random Write
130000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
10 Watt (Lesen) 12.5 Watt (Schreiben) 3.5 Watt (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung SSD DC Tool kit
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de