Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Merkmale
Non-SED, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, Strong Asymmetric Key Support, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, 3D NAND-Technologie mit 176 Layern
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
6800 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
120000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
12.1 Watt (sequenzielles Lesen) 16.6 Watt (sequenzielles Schreiben)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C