Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 (NVMe)
Merkmale
Digitally Signed Firmware, Stromausfallschutz (SAS), 176-lagige NAND-Technologie, Secure Execution Environment, Secure Boot, CMOS-under-array (CuA), NAND Block Erase
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 2400 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
735000 IOPS
4 KB Random Write
120000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8 Watt (sequenzielles Lesen) 7.9 Watt (sequenzielles Schreiben)
Verschiedenes
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C