Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Self-Encrypting Drive (SED), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH
Leistung
Interner Datendurchsatz
7000 MBps (lesen)/ 5800 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
7.7 Watt (aktiv) 3 mW (Leerlauf)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
95 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
0 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz