Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280 (doppelseitig)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
SLC-Cache, 3D BiCS Flash, NVM Express (NVMe) 1.4
Leistung
Interner Datendurchsatz
7000 MBps (lesen)/ 5800 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Key M
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280 (doppelseitig)
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.1 Watt (aktiv) 3 mW (L1.2-Modus)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
95 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
0 - 90% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz