Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 (NVMe)
Merkmale
Online Transaction Processing (OLTP), End-to-End-Datenschutz, Read-Intensive Endurance, Stromausfallschutz (SAS), 96-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.4
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
5800 MBps (lesen)/ 1300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
700000 IOPS
4 KB Random Write
30000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
13 Watt (aktiv)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95%
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 g @ 5-800 Hz