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Produktbeschreibung
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
512 GB
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.23 mm
Gewicht
5.9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
400000 IOPS
4 KB Random Write
430000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Key M
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
4.1 Watt (aktiv) 3 mW (L1.2-Modus)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
0 - 90% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
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